半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：堀城之 , 前島幸彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-251074
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099535
特許番号：特許第6065536号
出願日： 2012年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート電極の電圧によって1対の主電極間に流れる電流のオン・オフが制御されるスイッチング素子が形成されIII族窒化物半導体からなる半導体層で構成されたスイッチング素子チップと、前記スイッチング素子の制御を行う制御用ICが形成され前記スイッチング素子チップとは別体とされた制御用ICチップとが、同一のパッケージ内に設けられた構成を具備する半導体装置であって、前記スイッチング素子チップと前記制御用ICチップとを上面に搭載し接地電位とされたリードフレームを具備し、前記スイッチング素子における前記電流は、前記スイッチング素子チップを構成する半導体層の面内方向を流れ、前記パッケージ内において、前記リードフレームの上面側で、前記スイッチング素子チップにおける前記ゲート電極と、前記スイッチング素子チップにおける1対の主電極のうちの接地電位に近い側の電極が印加される主電極と、がそれぞれ前記制御用ICチップと接続されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 25/07 ( 200 6.01) , H01L 25/18 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 25/04 C , H01L 29/80 H , H01L 29/80 G

引用特許：

出願人引用 (5件)

出力制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-045117 出願人：シャープ株式会社
樹脂封止型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-188191 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-095084 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-095084 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-066512 出願人：サンケン電気株式会社
スルーレート出力回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-152624 出願人：日本電気株式会社

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