成膜方法及び成膜装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上俊夫 , 三井田友昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-018292
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139297
出願日： 2016年02月02日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：

【課題】基板の表面へのダメージを抑えると共に、基板の表面に対して高い被覆性を有するように膜質が良好なシリコン窒化膜を成膜する技術を提供すること。【解決手段】真空容器内において基板にシリコン窒化膜を成膜するにあたり、前記基板にシリコン原料のガスを供給して吸着させる第1の工程と、次いで、アンモニアガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して物理吸着させる第2の工程と、然る後、水素ガスを含むプラズマ形成用ガスをプラズマ化して得られた活性種を前記基板に供給し、前記基板に吸着されたアンモニアと前記シリコン原料とを反応させて反応生成物の層を形成する第3の工程と、前記第1の工程と、前記第2の工程と、前記第3の工程とからなるサイクルを複数回繰り返し、前記反応生成物の層を堆積させて前記シリコン窒化膜を成膜する工程と、を備えるように処理を行う。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

真空容器内において基板にシリコン窒化膜を成膜する成膜方法について、前記基板にシリコン原料のガスを供給して吸着させる第1の工程と、次いで、アンモニアガスをプラズマ化されない状態で前記基板に供給して物理吸着させる第2の工程と、然る後、プラズマを形成するための水素ガスを含むプラズマ形成用ガスをプラズマ化して得られた活性種を前記基板に供給し、前記基板に物理吸着されたアンモニアと前記シリコン原料とを反応させて反応生成物の層を形成する第3の工程と、前記第1の工程と、前記第2の工程と、前記第3の工程とからなるサイクルを複数回繰り返し、前記反応生成物の層を堆積させて前記シリコン窒化膜を成膜する工程と、を備えることを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/455

Fターム (33件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030CA12 , 4K030EA04 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030GA04 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA09 , 5F045AA15 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EE19 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BF08 , 5F058BF22 , 5F058BF30 , 5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (10件)

基板処理装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-021384 出願人：東京エレクトロン株式会社
基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-240067 出願人：株式会社日立国際電気
成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-066665 出願人：東京エレクトロン株式会社

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