特許
J-GLOBAL ID：201703003504218586
シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
, 黒瀬 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-246873
公開番号（公開出願番号）：特開2017-052699
出願日： 2016年12月20日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
要約：
【課題】個々のシリカガラスルツボの容積を正確に把握してシリカガラスルツボ内のシリコン融液の初期液面レベルを事前に予測し、これにより種結晶の着液工程を確実に行う。【解決手段】先行のシリコン単結晶の引き上げが終了した後、シリカガラスルツボ内に原料を追加して後続のシリコン単結晶の引き上げを行うマルチ引き上げ工程を含み、1回目のシリコン単結晶の引き上げ工程において、シリコン単結晶の引き上げのための種結晶の着液制御を行い、2回目以降のシリコン単結晶の引き上げ工程では、先行のシリコン単結晶の重量からシリカガラスルツボ内に残留しているシリコン融液の残量を求め、シリカガラスルツボの内表面の3次元形状及びシリコン融液の残量に基づいて、後続のシリコン単結晶の引き上げに用いるシリコン融液の初期液面レベルの予測値を満たす原料の追加充填量を求める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリカガラスルツボ内に充填された原料を加熱してシリコン融液を生成し、前記シリコン融液に着液させた種結晶を引き上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
先行のシリコン単結晶の引き上げが終了した後、前記シリカガラスルツボ内に前記原料を追加して後続のシリコン単結晶の引き上げを行うマルチ引き上げ工程を含み、
1回目のシリコン単結晶の引き上げ工程において、シリコン単結晶の引き上げのための種結晶の着液制御を行い、
2回目以降のシリコン単結晶の引き上げ工程では、
前記先行のシリコン単結晶の重量から前記シリカガラスルツボ内に残留しているシリコン融液の残量を求め、
前記シリカガラスルツボの内表面の3次元形状及び前記シリコン融液の残量に基づいて、前記後続のシリコン単結晶の引き上げに用いるシリコン融液の初期液面レベルの予測値を満たす前記原料の追加充填量を求めることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EG02
, 4G077PA01
, 4G077PB01
, 4G077PB09
, 4G077PD01
, 4G077PF09
, 4G077PF52
