特許
J-GLOBAL ID：200903024544098049
シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009105
公開番号（公開出願番号）：特開2003-212691
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：
【要約】【課題】 ルツボの下方に断熱板を備えた装置によりシリコン単結晶を製造するに際し、断熱板の保温効果をルツボ内の残融液の量に応じて調整でき、ひいては得られるシリコン単結晶の酸素濃度及び欠陥濃度及び分布を最適化できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体単結晶の製造装置50は、育成炉本体1内においてルツボ12の周囲に配置された加熱ヒータ7により該ルツボ12内の原料融液4を加熱しつつ、該原料融液4からチョクラルスキー法により半導体単結晶3を引上げ育成・製造するためのものである。そして、半導体単結晶3の引上げ時においてルツボ12がルツボ昇降機構40により上昇駆動され、育成炉本体1内においてルツボ12の下方に、ルツボ12の上昇と反対に下降駆動される断熱板20が配置される。
請求項（抜粋）：
ルツボ内のシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げ育成・製造する方法であって、前記ルツボの下方に断熱板を配置するとともに、前記シリコン単結晶の引上長の増大に伴い前記断熱板と前記ルツボとの間隔が拡大するように、該シリコン単結晶の引上げに際して前記ルツボを上昇駆動し、かつ前記断熱板を下降駆動することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, C30B 15/00
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 C
, C30B 15/00 Z
, C30B 15/20
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EG18
, 4G077EG19
, 4G077EG25
, 4G077EH07
, 4G077PA06
, 4G077PE16
, 4G077PF55
