特許
J-GLOBAL ID：201703003721000165

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092400
公開番号（公開出願番号）：特開2017-201649
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2017年11月09日
要約：
【課題】受光素子を含む半導体装置において、製造コストの低減と、受光素子の光学性能の向上とを両立する。【解決手段】例えば、Geフォトダイオードの構造体を構成するp型ゲルマニウム層PGLと真性ゲルマニウム層IGLとn型ゲルマニウム層NGLとを連続した選択エピタキシャル成長法により形成する。SOI基板1Sのシリコン層SL上に開口部OPを有する絶縁膜IFを形成し、かつ、真性ゲルマニウム層IGLを開口部OPの内部から絶縁膜IFの上にまではみ出すように形成する。つまり、開口部OPを形成した絶縁膜IFを利用して、真性ゲルマニウム層IGLの断面形状をマッシュルーム形状とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
光電変換機能を有する受光素子を備える、半導体装置であって、 前記受光素子は、 第1面と、前記第1面と交差する第2面とを有する絶縁膜と、 前記絶縁膜の前記第1面に接し、かつ、第1導電型である第1半導体層と、 前記絶縁膜の前記第1面と前記第2面とに接し、かつ、前記第1半導体層上に形成された真性半導体層と、 前記絶縁膜の前記第2面と接し、かつ、前記真性半導体層上に形成され、かつ、前記第1導電型とは反対の導電型である第2導電型の第2半導体層と、 を有する、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/023 ,  G02B 6/12
FI (3件)：
H01L31/10 A ,  H01L31/02 D ,  G02B6/12
Fターム (23件)：
2H147AB05 ,  2H147EA13A ,  2H147EA14B ,  5F849AA04 ,  5F849AB03 ,  5F849AB17 ,  5F849BA01 ,  5F849BA05 ,  5F849BA18 ,  5F849BB01 ,  5F849CB03 ,  5F849DA02 ,  5F849DA06 ,  5F849DA44 ,  5F849FA05 ,  5F849FA13 ,  5F849GA05 ,  5F849HA13 ,  5F849LA01 ,  5F849XB05 ,  5F849XB15 ,  5F849XB24 ,  5F849XB37
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM