特許
J-GLOBAL ID:201703004148390197

発光装置、半導体装置、モジュール、及び電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-151001
公開番号(公開出願番号):特開2016-224452
出願日: 2016年08月01日
公開日(公表日): 2016年12月28日
要約:
【課題】発光素子の特性ばらつき、劣化に伴う電流値ばらつきを生じにくくする表示装置と駆動方法を提供する。【解決手段】トランジスタ2105と容量素子2107と発光素子とソース信号線2101と電流供給線2108とを有し、発光素子はトランジスタ2105によって決定される電流値に応じた輝度で発光する表示装置の駆動方法であって、トランジスタ2105のソースに第1の電位を入力する動作と、ソース信号線2101からトランジスタ2105のゲートに映像信号を入力する動作と、第1の電位と、映像信号とに応じて決定される電位差を容量素子2107に保持しトランジスタ2105のソース電位を第2の電位に変化させる動作とを含む。容量素子2107は、トランジスタ2105のゲートソース間電圧を保持するため、トランジスタ2105の第1の電極の電位が変化しても、ゲートソース間電圧を一定とすることにより電流値を一定とする。【選択図】図22
請求項(抜粋):
第1の画素と、前記第1の画素に隣接した第2の画素と、を有し、 前記第1の画素及び前記第2の画素の各々は、 第1乃至第3のトランジスタと、 発光素子と、 容量素子と、 第1の方向に延びて配置されている第1の配線と、 前記第1の方向と交差する方向に延びて配置されている第2の配線と、 前記第1の方向と交差する方向に延びて配置されている第3の配線と、 前記第2の配線が延びて配置されている方向と交差する方向に延びて配置されている第4の配線と、を有し、 前記第1の配線は、前記第2のトランジスタを介して前記第1のトランジスタのゲートに映像信号を供給することができる機能を有し、 前記第2の配線は、前記第2のトランジスタの導通又は非導通を制御することができる機能を有し、 前記第3の配線は、前記第3のトランジスタを介して前記発光素子の第1の電極に所定の電位を供給することができる機能を有し、 前記第4の配線は、前記第1のトランジスタを介して前記発光素子に電流を供給することができる機能を有し、 前記第2のトランジスタの第1の電極は、前記第1の配線と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタの第1の電極は、前記第1のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタの第2の電極は、前記第3の配線と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタの第1の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタの第2の電極は、前記第4の配線と電気的に接続され、 前記容量素子の第1の電極は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記容量素子の第2の電極は、前記第1のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、 前記第2の配線と前記第3の配線とは、同一の層に設けられ、且つ同一の材料を有し、 前記第3のトランジスタの第1の電極は、ソース又はドレインの一方としての機能を有し、 前記第3のトランジスタの第2の電極は、ソース又はドレインの他方としての機能を有し、 前記容量素子は、前記第2の配線と同一の層に設けられ、且つ前記第2の配線と同一の材料を有する導電層を有し、 前記導電層の前記第1の方向における長さは、前記導電層の前記第1の方向と交差する方向における長さよりも大きいことを特徴とする発光装置。
IPC (3件):
G09G 3/323 ,  G09G 3/20 ,  H01L 51/50
FI (9件):
G09G3/3233 ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 641D ,  G09G3/20 641E ,  G09G3/20 670K ,  G09G3/20 670J ,  G09G3/20 642A ,  H05B33/14 A
Fターム (72件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107HH04 ,  3K107HH05 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080DD05 ,  5C080DD25 ,  5C080DD29 ,  5C080EE29 ,  5C080EE30 ,  5C080HH09 ,  5C080KK02 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5C380AA01 ,  5C380AA02 ,  5C380AB06 ,  5C380AB12 ,  5C380AB18 ,  5C380AB21 ,  5C380AB22 ,  5C380AB23 ,  5C380AC07 ,  5C380AC08 ,  5C380AC09 ,  5C380AC11 ,  5C380AC12 ,  5C380AC13 ,  5C380BB02 ,  5C380BD02 ,  5C380BD08 ,  5C380BD09 ,  5C380CA02 ,  5C380CA04 ,  5C380CA06 ,  5C380CA08 ,  5C380CA12 ,  5C380CA24 ,  5C380CA26 ,  5C380CA32 ,  5C380CB01 ,  5C380CB18 ,  5C380CB26 ,  5C380CC01 ,  5C380CC27 ,  5C380CC29 ,  5C380CC30 ,  5C380CC33 ,  5C380CC38 ,  5C380CC39 ,  5C380CC62 ,  5C380CC63 ,  5C380CD013 ,  5C380CD014 ,  5C380CF07 ,  5C380CF09 ,  5C380CF10 ,  5C380CF22 ,  5C380CF23 ,  5C380CF24 ,  5C380CF32 ,  5C380CF48 ,  5C380DA02 ,  5C380DA06 ,  5C380DA09 ,  5C380DA47
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-327498   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置及び表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-102591   出願人:三洋電機株式会社
  • D/A変換回路および半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-132003   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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