特許
J-GLOBAL ID：201703004587174263
パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュールの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-054232
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179564
特許番号：特許第6115215号
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁層の一方の面に金属からなる回路層が形成され、前記回路層上に半導体素子が接合されるパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記絶縁層の一方の面に金属板を接合し前記回路層を形成する回路層形成工程と、
前記回路層の一方の面にガラス成分を含有するガラス含有Agペーストを塗布する塗布工程と、
前記ガラス含有Agペーストを塗布した状態で加熱処理して前記ガラス含有Agペーストを焼成し、ガラス層を有するAg下地層を形成するAg下地層形成工程と、
前記回路層上に前記半導体素子が接合される前に、前記Ag下地層に通電する通電工程と、を備えることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/52 ( 200 6.01)
H01L 23/12 D
, H01L 21/52 D
, H01L 23/12 F
