特許
J-GLOBAL ID：201303084941201846

パワーモジュール、及び、パワーモジュールの製造方法

発明者：
仙石 文衣理

仙石 文衣理 について

, 
西元 修司

西元 修司 について

, 
西川 仁人

西川 仁人 について

, 
長友 義幸

長友 義幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-011140
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012706
出願日： 2012年01月23日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
【課題】回路層の一方の面に半導体素子が確実に接合され、熱サイクル及びパワーサイクル信頼性に優れたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11の一方の面に回路層12が配設されたパワーモジュール用基板10と、回路層12上に搭載される半導体素子3と、を備えたパワーモジュール1であって、回路層12の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Agペーストの焼成体からなる第1焼成層31が形成されており、この第1焼成層31の上に、酸化銀が還元されたAgの焼成体からなる第2焼成層38が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層上に搭載される半導体素子と、を備えたパワーモジュールであって、 前記回路層の一方の面には、ガラス成分を含有するガラス含有Agペーストの焼成体からなる第1焼成層が形成されており、 この第1焼成層の上に、酸化銀が還元されたAgの焼成体からなる第2焼成層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (7件)：
H01L 23/40 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H05K 7/20 ,  H01L 21/52
FI (6件)：
H01L23/40 F ,  H01L23/12 Q ,  H01L23/14 C ,  H01L25/04 C ,  H05K7/20 N ,  H01L21/52 B
Fターム (18件)：
5E322AA01 ,  5E322AA05 ,  5E322AB02 ,  5E322FA01 ,  5F047AA17 ,  5F047BA15 ,  5F047BA53 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136FA62 ,  5F136FA63 ,  5F136FA65 ,  5F136GA40
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM