特許
J-GLOBAL ID：200903019711064689

導体および半導体の製造方法

発明者：
ヘイッキ セッペ

ヘイッキ セッペ について

, 
マルク アレン

マルク アレン について


出願人/特許権者：
ヴァルティオン テクニリネン ツッツキムスケスクス

ヴァルティオン テクニリネン ツッツキムスケスクス について


代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  澤田 達也 ,  播磨 里江子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-520002
公開番号（公開出願番号）：特表2009-544838
出願日： 2007年07月05日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
本発明は、焼結により構造を形成するための焼結方法に関するものである。また、本発明は、焼結による製品に係り、電子モジュールおよび新用途に関するものである。本発明の方法では、カプセルに包んだ導体または半導体ナノ粒子を含む粉末材料を焼結し、該粉末材料に電圧を印加することによって、その電気伝導性を向上させる。本発明の方法では、通常、回路基板を使用し、該回路基板の一表面は、少なくとも一部にナノ粒子を包含した層を具える。本発明の方法は、電圧フィードおよびナノ粒子間の熱フィードバックに基づく。本発明の方法により、室温、大気圧下で導体および半導体の構造および要素の製造を行うことができる。
請求項（抜粋）：
カプセルに包んだ導体または半導体ナノ粒子を含む粉末材料の焼結により、該粉末材料の導電性を高める焼結方法において、粉末材料へ電圧を印加することによって該焼結を行うことを特徴とした焼結方法。
IPC (8件)：
B22F 3/10 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 27/10 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/10 ,  B22F 1/02
FI (8件)：
B22F3/10 D ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 B ,  H01L21/88 B ,  H01L27/10 431 ,  H05K1/09 A ,  H05K3/10 Z ,  B22F1/02 B
Fターム (59件)：
4E351AA02 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351DD02 ,  4E351DD52 ,  4E351EE03 ,  4E351GG16 ,  4K018AA02 ,  4K018AA03 ,  4K018AA07 ,  4K018AA24 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BA03 ,  4K018BA04 ,  4K018BA13 ,  4K018BB05 ,  4K018BC29 ,  4K018BD04 ,  4K018DA23 ,  4K018KA33 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD77 ,  4M104DD88 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5E343AA12 ,  5E343BB22 ,  5E343DD01 ,  5E343DD71 ,  5E343ER32 ,  5E343ER39 ,  5E343ER42 ,  5E343GG11 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ68 ,  5F083CR15 ,  5F083GA01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (12件)
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