特許
J-GLOBAL ID：201703004855782514
窒化物半導体装置およびその製造方法、ならびにダイオードおよび電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
酒井 宏明
, 田代 至男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254403
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115366
特許番号：特許第6168978号
出願日： 2013年12月09日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体と、
前記基体上に設けられた窒化物半導体からなる第1半導体層、および前記第1半導体層の上層に設けられアルミニウムを含む窒化物半導体層を少なくとも1層積層した構造を有するとともに前記第1半導体層よりも平均的にバンドギャップが広く平均Al組成比Xの第2半導体層を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体を構成する層のうちの少なくとも一部の層の上に設けられる第1電極と、
前記半導体積層体を構成する層のうちの少なくとも一部の層の上に、前記第1電極と離間して設けられる第2電極と、を備え、
前記第2半導体層が、前記平均Al組成比Xよりも高い極大Al組成比の窒化物半導体を含む第1窒化物半導体層と、前記平均Al組成比Xよりも低い極小Al組成比の窒化物半導体を含む第2窒化物半導体層とが交互に少なくとも1回積層されて構成され、
前記第1窒化物半導体層の極大Al組成比が、前記平均Al組成比Xに対して、0.03以上0.3未満の範囲内で高く、
前記第2半導体層におけるAl組成比が、前記基体の主面から前記第2半導体層の表面に向かう積層方向に沿って、前記第1窒化物半導体層内において極大Al組成比の前後で順に増加減少し、前記第2窒化物半導体層内において極小Al組成比の前後で順に減少増加するように、連続的に増減している
ことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/41 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/48 D
, H01L 21/205
, H01L 29/80 H
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/44 S
, H01L 21/28 301 R
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/78 301 B
