特許

J-GLOBAL ID：201203026284586638

半導体デバイス

発明者： 内海 誠 ,  加藤 禎宏 ,  岩見 正之 ,  古川 拓也
出願人/特許権者： 次世代パワーデバイス技術研究組合
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091332
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227227
出願日： 2011年04月15日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】低シート抵抗化、リーク電流の低減、および、オーミック電極の接触抵抗の低減を実現する。【解決手段】基板と、基板上に設けられ第1の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、チャネル層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた第1電極と、チャネル層の上方に設けられた第2電極とを備え、バリア層は、チャネル層上に設けられ第1の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、第2の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第3の窒化物系化合物半導体からなり量子準位が形成された量子準位層とを有する半導体デバイスを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上方に設けられ、第1の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層上に設けられたバリア層と、 前記バリア層上に設けられた第1電極と、 前記チャネル層の上方に設けられた第2電極と、を備え 前記バリア層は、 前記チャネル層上に設けられ、前記第1の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、 前記障壁層上に設けられ、前記第2の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第3の窒化物系化合物半導体からなり、量子準位が形成された、量子準位層と、が繰り返し積層されている 半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 F ,  H01L21/205

Fターム (37件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045DA53 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM08 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-032213   出願人：シャープ株式会社
• III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-113985   出願人：松下電器産業株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088973   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330221   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-054824   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Resonant Tunneling Transistors with Controllable Negative Differential Resistances