特許

J-GLOBAL ID：201703004858001114

半導体装置

発明者： 三宅 博之 ,  井上 聖子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-110568
公開番号（公開出願番号）：特開2016-208038
出願日： 2016年06月02日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

【課題】解像度が低下することなく、表示品位の良い立体表示可能な表示装置を提供する。【解決手段】トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁層437、半導体層403、ソース電極405a、ドレイン電極405b、ゲート絶縁層402、及びゲート電極401を含む。ソース電極405a、ドレイン電極405bにそれぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられ、電気的に接続している。配線層436a、配線層436bは、ゲート電極401と同層である。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、第1乃至第5の導電層と、第1及び第2の絶縁層と、を有し、 前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、 前記酸化物半導体層は、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間の領域を有し、 前記第1の導電層は、ソース電極として機能する領域を有し、 前記第1の導電層は、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間の領域を有し、 前記第2の導電層は、ドレイン電極として機能する領域を有し、 前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間の領域を有し、 前記第3の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、 前記第4の導電層は、前記第1の導電層と接する領域を有し、 前記第5の導電層は、前記第2の導電層と接する領域を有し、 前記第4の導電層及び前記第5の導電層は、前記第3の導電層と同層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  H04N 13/04 ,  G09G 3/36 ,  G09G 3/20 ,  G09G 5/36 ,  G09G 3/34 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/136

FI (17件)：

H01L29/78 612D ,  G09F9/30 338 ,  H04N13/04 380 ,  H04N13/04 220 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20 660X ,  G09G3/20 611A ,  G09G5/36 510V ,  G09G3/34 J ,  G09G3/20 641E ,  G09G3/20 641K ,  G09G3/20 641C ,  G02F1/13 505 ,  G02F1/133 535 ,  G02F1/1368 ,  H04N13/04 970 ,  H01L29/78 618B

Fターム (142件)：

2H088EA07 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  2H088HA28 ,  2H088JA09 ,  2H088MA05 ,  2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB06 ,  2H192CB37 ,  2H192CB71 ,  2H192DA12 ,  2H192FA73 ,  2H192FB27 ,  2H192GD47 ,  2H192GD61 ,  2H192JB04 ,  2H193ZA04 ,  2H193ZA07 ,  2H193ZC25 ,  2H193ZE02 ,  2H193ZF22 ,  2H193ZF32 ,  2H193ZG02 ,  2H193ZG34 ,  2H193ZQ06 ,  2H193ZQ09 ,  2H193ZQ11 ,  2H193ZQ14 ,  2H193ZQ16 ,  2H193ZR10 ,  5C006AA14 ,  5C006AA16 ,  5C006AA17 ,  5C006AA22 ,  5C006BB16 ,  5C006BB29 ,  5C006BF03 ,  5C006EA01 ,  5C006EC12 ,  5C006EC13 ,  5C006FA34 ,  5C006FA47 ,  5C061AA03 ,  5C061AA11 ,  5C061AB11 ,  5C061AB12 ,  5C061AB14 ,  5C061AB16 ,  5C061AB18 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080CC03 ,  5C080CC04 ,  5C080DD08 ,  5C080DD26 ,  5C080EE29 ,  5C080EE30 ,  5C080FF11 ,  5C080FF12 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK02 ,  5C080KK25 ,  5C080KK43 ,  5C080KK47 ,  5C094AA08 ,  5C094AA22 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA21 ,  5C094DA13 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5C182AA02 ,  5C182AA03 ,  5C182AA26 ,  5C182AA29 ,  5C182AA31 ,  5C182AB01 ,  5C182AB02 ,  5C182AB08 ,  5C182AB09 ,  5C182AB14 ,  5C182AB16 ,  5C182AC43 ,  5C182AC46 ,  5C182CC25 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-255737   出願人：カシオ計算機株式会社
• 酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-033577   出願人：株式会社日立製作所
• 電磁波検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-159671   出願人：富士フイルム株式会社