特許
J-GLOBAL ID：201703004963896364
MEMSデバイスおよびMEMSデバイスのカプセル化方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-546902
特許番号：特許第6176803号
出願日： 2013年10月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 MEMSデバイスであって、
1つの活性表面を備え、当該活性表面上に電子デバイスパターン(複数)(BES)および当該電子デバイスパターンとの電気的コンタクトのためのコンタクト面(複数)(KF)が配設されている基板(SU)と、
前記コンタクト面上に立っており、かつ前記デバイスパターンより突出している金属の柱状パターン(複数)(PS)と、
前記基板の前記活性表面上に配設されており、かつ前記デバイスパターンを前記柱状パターンと共に包囲する金属の枠パターン(RS)と、
硬化されたレジスト層(RL)であって、前記枠パターン(RS)および前記柱状パターン(PS)が、基板と,枠パターンと,レジスト層との間に1つの空洞(CV)が封止されるように、当該枠パターン(RS)および前記柱状パターン上に戴置され、前記金属パターン(PS,RS)の少なくとも一部が、柱状パターン(PS)および枠パターン(RS)から選択されて、前記基板に向いていない側の前記金属パターンの表面が前記レジスト層によって覆われないように、前記レジスト層の中に深く貫入されているレジスト層と、
前記基板に向いていない側の前記レジスト層の表面に配設された担体層(TS)上に配設されている1つのパターニングされたメタライジング部(MS)であって、前記パターニングされたメタライジング部が、少なくとも、前記MEMSデバイスのコンタクトのためのパターニングされた外部コンタクト部(AK)を形成し、かつ前記レジスト層によっておおわれていない金属パターンと電気的に導通して接続されているメタライジング部と、
を備え、
前記担体層を貫通する貫通接続部(複数)が設けられ、当該貫通接続部は前記外部コンタクト部を前記金属パターンと接続している、
ことを特徴とするMEMSデバイス。
IPC (5件)：
H03H 9/25 ( 200 6.01)
, B81B 7/02 ( 200 6.01)
, B81C 3/00 ( 200 6.01)
, H01L 23/02 ( 200 6.01)
, H03H 9/64 ( 200 6.01)
H03H 9/25 A
, B81B 7/02
, B81C 3/00
, H01L 23/02 B
, H03H 9/64 Z
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
