特許
J-GLOBAL ID：201703005575438555

シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法

発明者：
斎藤 綾平

斎藤 綾平 について


出願人/特許権者：
クアーズテック株式会社

クアーズテック株式会社 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  澤田 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-043396
公開番号（公開出願番号）：特開2017-160063
出願日： 2016年03月07日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】シリカガラスルツボの内層表面の気泡、内層中の気泡の発生及び膨張を抑制した、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法を提供する。【解決手段】石英原料粉末を成形型内に供給して直胴部、コーナー部および底部を有するシリカ粉成形体1を形成し、シリカ粉成形体1をアーク放電により加熱溶融してルツボを製造する、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法であって、アーク放電による加熱溶融中の雰囲気の酸素体積濃度が、20%を超え、40%未満であるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
石英原料粉末を成形型内に供給して直胴部、コーナー部および底部を有するシリカ粉成形体を形成し、このシリカ粉成形体をアーク放電により加熱溶融してルツボを製造する、シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法であって、 アーク放電による加熱溶融中の雰囲気の酸素体積濃度が、20%を超え、40%未満であることを特徴とするシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/10 ,  C03B 20/00
FI (4件)：
C30B29/06 502B ,  C30B15/10 ,  C03B20/00 H ,  C03B20/00 A
Fターム (10件)：
4G014AH00 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077PD01 ,  4K046AA07 ,  4K046BA05 ,  4K046CB06 ,  4K046CB13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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