特許
J-GLOBAL ID：201703006045171996

半導体装置

発明者：
西元 修司

西元 修司 について

, 
長友 義幸

長友 義幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-037085
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157599
出願日： 2016年02月29日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：
【課題】比較的高温環境下で使用された場合でも、回路層と半導体素子との接合信頼性に優れ、安定して使用することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】導電性材料からなる回路層12と、回路層12の一方の面に搭載された半導体素子3と、回路層12の他方の面に配設されたセラミックス基板とを備えた半導体装置であって、回路層12の一方の面には、ガラス層31とこのガラス層31上に積層されたAg層32とを有するAg下地層30が形成されており、このAg下地層30のAg層32と半導体素子3とが直接接合されていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
導電性材料からなる回路層と、前記回路層の一方の面に搭載された半導体素子と、前記回路層の他方の面に配設されたセラミックス基板とを備えた半導体装置であって、 前記回路層の一方の面には、ガラス層とこのガラス層上に積層されたAg層とを有するAg下地層が形成されており、 このAg下地層の前記Ag層と前記半導体素子とが直接接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 21/52
FI (1件)：
H01L21/52 A
Fターム (3件)：
5F047BA00 ,  5F047BA15 ,  5F047CB00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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