特許
J-GLOBAL ID：201403050480730839
半導体装置、セラミックス回路基板及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 増井 裕士
, 細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224257
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078558
出願日： 2012年10月09日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
【課題】回路層と半導体素子とが、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材を用いて確実に接合され、半導体素子からの熱を回路層側へと効率よく伝達することができる半導体装置、この半導体装置に用いられるセラミックス回路基板、及び、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】導電性材料からなる回路層12と、回路層12上に搭載される半導体素子3と、を備えた半導体装置1であって、回路層12の一方の面には、気孔率が5%以上55%以下の範囲内とされた下地層31が形成され、この下地層31の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層38が形成されており、回路層12と半導体素子3とが、下地層31及び接合層38を介して接合されていること特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性材料からなる回路層と、前記回路層上に搭載される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、
前記回路層の一方の面には、気孔率が5%以上55%以下の範囲内とされた下地層が形成され、
この下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層が形成されており、
前記回路層と前記半導体素子とが、前記下地層及び前記接合層を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/52
H01L25/04 C
, H01L21/52 A
5F047AA14
, 5F047BA21
, 5F047BC40
