特許
J-GLOBAL ID：201703006139614719
レジスト下層膜形成組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 加藤 勉
, 伴 知篤
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-022760
公開番号（公開出願番号）：特開2016-128925
特許番号：特許第6168324号
出願日： 2016年02月09日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】レジスト下層膜形成組成物であって、
下記式(0):
(式中、Rは炭素原子数1乃至20のアルキル基、シリル基、炭素原子数1乃至20のハロアルキル基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数1乃至6のハロアルキル基及びハロゲノ基の少なくとも1種で置換されていてもよい、フェニル基、ナフチル基若しくはアントリル基を表し、Xはハロゲノ基で置換されていてもよい炭素原子数1乃至20のアルキル基、ビニル基、アリル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素原子数1乃至20のアルキルチオ基、シアノ基、アセチル基、アセチルオキシ基、炭素原子数2乃至20のアルコキシカルボニル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミド基、イミド基、炭素原子数1乃至20のアルコキシスルホニル基、スルホンアミド基、又は炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数1乃至6のハロアルキル基及びハロゲノ基の少なくとも1種で置換されていてもよい、フェニル基、ナフチル基、アントリル基若しくはピレニル基を表し、pは2又は3を表す。)
で表される化合物及び有機溶剤を含み、
前記式(0)で表される化合物の含有割合は、前記レジスト下層膜形成組成物から前記有機溶剤を除いた固形分に対して10質量%乃至40質量%であることを特徴とするレジスト下層膜形成組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/11 503
, H01L 21/30 573
