特許
J-GLOBAL ID：201703006200919978

電力変換装置

発明者：
上田 裕介

上田 裕介 について


出願人/特許権者：
株式会社ジェイテクト

株式会社ジェイテクト について


代理人 (2件)： 恩田 誠 ,  恩田 博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200348
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070641
特許番号：特許第6187093号
出願日： 2013年09月26日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 制御信号を出力するプロセッサユニットと、 前記制御信号に基づいて駆動電源から供給される直流電力を交流電力に変換するパワーモジュールとを備え、 前記パワーモジュールは、 直列に接続されたパワー半導体素子を有する複数のアームを並列に接続してなるインバータ回路と、 前記制御信号を制御電圧に基づいて増幅した駆動信号を前記パワー半導体素子に出力するドライバ回路と、 前記パワー半導体素子の過熱、前記アームの短絡及び前記ドライバ回路に供給される制御電圧の低下の少なくとも1つの異常検出を行い、該異常検出の検出結果を示す異常検出信号を前記プロセッサユニットに出力する異常検出回路とを備えた電力変換装置において、 前記異常検出回路は、温度センサにより検出される前記パワー半導体素子の検出温度と、温度異常判定閾値との大小比較に基づいて少なくとも前記パワー半導体素子の過熱を検出し、 前記プロセッサユニットは、 前記異常検出信号に基づいて前記パワー半導体素子の過熱が発生したと判定するものであり、 前記検出温度と、前記温度異常判定閾値よりも低い温度を示す温度予見値との大小比較に基づいて少なくとも前記パワー半導体素子の過熱が発生する前段階である過熱予見状態の検出を行い、該過熱予見状態を検出しない場合には、前記パワーモジュールに前記パワー半導体素子の過熱が発生したと判定しないことを特徴とする電力変換装置。
IPC (1件)：
H02M 7/48 ( 200 7.01)
FI (1件)：
H02M 7/48 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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