特許
J-GLOBAL ID:201703006263771784
非晶質炭素皮膜の除膜方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 石川 滝治
, 美馬 保彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-215311
公開番号(公開出願番号):特開2015-077544
特許番号:特許第6098468号
出願日: 2013年10月16日
公開日(公表日): 2015年04月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 金属を含有した非晶質炭素皮膜を除膜する方法であって、
窒素ガスと、ハロゲン元素を含むガスとが混合された非酸化性ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した非酸化性ガスを前記非晶質炭素皮膜に接触させることにより、前記非晶質炭素皮膜と前記プラズマ化した非酸化性ガスとの反応時に発光する前記金属の発光強度を測定しながら、前記非晶質炭素皮膜を除膜するものであり、
前記測定した発光強度に基づいて、前記非酸化性ガスの前記窒素ガスと前記ハロゲン元素を含むガスとの混合割合を調整することを特徴とする非晶質炭素皮膜の除膜方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (5件)
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硬質炭素系膜の除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-183293
出願人:株式会社栗田製作所
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SiC半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-029318
出願人:エム・イー・エス・アフティ株式会社
-
特開昭63-302520
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審査官引用 (5件)
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硬質炭素系膜の除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-183293
出願人:株式会社栗田製作所
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SiC半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-029318
出願人:エム・イー・エス・アフティ株式会社
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特開昭63-302520
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