特許
J-GLOBAL ID：201703006547586596

リフレッシュ方法及びそれを用いた半導体メモリ装置

発明者：
グン グ キム

グン グ キム について


出願人/特許権者：
エスケーハイニックス株式会社

エスケーハイニックス株式会社 について


代理人 (3件)： 上田 邦生 ,  藤田 考晴 ,  川上 美紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-220858
公開番号（公開出願番号）：特開2013-242951
特許番号：特許第6209322号
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】オールバンクリフレッシュコマンドが入力された場合に動作し、パーバンクリフレッシュコマンドに応じてリフレッシュが行われたか否かを示すバンク毎のレベル信号を受信してバンク毎のオールバンク選択信号を生成するオールバンク選択信号生成部;及び 前記オールバンク選択信号に応じてリフレッシュが行われるか、前記レベル信号がイネーブルされる場合はイネーブルされるパーバンク選択信号に応じてリフレッシュが行われる複数のバンクを含むバンク部を備え、 バンク毎の前記オールバンク選択信号は、それぞれ、対応する前記レベル信号がディセイブルされる場合にイネーブルされ、前記パーバンク選択信号によってリフレッシュが行われなかったバンクを選択する信号である半導体メモリ装置。
IPC (1件)：
G11C 11/406 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G11C 11/406 400 ,  G11C 11/406 460 ,  G11C 11/406 300
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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