特許
J-GLOBAL ID：201703006782770876
多結晶シリコンロッドの製造方法と製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-269647
公開番号（公開出願番号）：特開2014-114184
特許番号：特許第6038625号
出願日： 2012年12月10日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも1対の電極を備える反応器内に、両端が前記電極に接続されているシリコン芯線を配置し、前記シリコン芯線に通電しながら、シリコン析出用原料ガスを前記反応器内に供給し、前記シリコン芯線に多結晶シリコンを析出させて多結晶シリコンから成るロッドを製造する方法であって、
前記シリコン芯線に通電開始から前記シリコン芯線に対する前記ロッドの径方向析出速度を予測する工程と、
予測された前記ロッドの径方向析出速度が、時間の経過と共に、変化するように、前記シリコン芯線に通電する電力を制御する工程と、を有し、
予測された前記ロッドの径方向析出速度が、時間の経過と共に増大し、しかも前記径方向析出速度の変化の度合いを(V最大/V最小)と表した場合に、前記(V最大/V最小)が1.5以上となるように、前記シリコン芯線に通電する電力を制御する多結晶シリコンロッドの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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