半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-236520
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069571
出願日： 2016年12月06日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、BT試験前後における薄膜トランジスタのしきい値電圧の変動幅を2V以下、好ましくは1.5V以下、さらに好ましくは1.0V以下とすることで、信頼性が高く安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値の変動に起因する表示むらなどの動作不良を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層を形成した後、第1の熱処理を行い、前記第1の熱処理を行った後に、前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に、無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層を形成した後、第2の熱処理を行い、前記第2の熱処理の温度は、前記第1の熱処理の温度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G09F 9/00 , G09F 9/30 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , G02F 1/134

FI (9件)：

H01L29/78 627F , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , G09F9/00 338 , G09F9/30 338 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , G02F1/1343

Fターム (140件)：

2H092GA14 , 2H092GA17 , 2H092GA48 , 2H092GA50 , 2H092GA59 , 2H092HA04 , 2H092JA26 , 2H092JA42 , 2H092JA46 , 2H092JB05 , 2H092KA08 , 2H092MA29 , 2H192AA24 , 2H192BA25 , 2H192BC24 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB71 , 2H192CC22 , 2H192CC42 , 2H192DA12 , 2H192EA74 , 2H192FA73 , 2H192FB02 , 2H192FB33 , 2H192HA90 , 2H192JA13 , 3K107AA01 , 3K107AA07 , 3K107AA08 , 3K107AA09 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB07 , 3K107CC33 , 3K107EE04 , 3K107FF17 , 5C094AA25 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA07 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB01 , 5C094HA03 , 5C094HA07 , 5C094HA08 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE27 , 5F110EE30 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL07 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5G435AA16 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435BB18 , 5G435CC09 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435LL04 , 5G435LL06 , 5G435LL07 , 5G435LL08 , 5G435LL10

引用特許：

出願人引用 (4件)

発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-262991 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
トランジスタ構造及びその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2005-501592 出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ

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