特許
J-GLOBAL ID：201703007242095122
プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-104017
公開番号（公開出願番号）：特開2014-225561
特許番号：特許第6179937号
出願日： 2013年05月16日
公開日（公表日）： 2014年12月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層を有する被処理基板をプラズマエッチングする装置であって、
a) 処理室と、
b) 前記処理室内に配置され、前記被処理基板が載置されるとともに高周波電圧が印加される下部電極と、
c) 前記処理室内に還元性ガスを導入する還元性ガス導入手段と、
d) 前記処理室内にハロゲン系ガスを導入するハロゲン系ガス導入手段と、
e) 前記還元性ガス導入手段及び前記ハロゲン系ガス導入手段を動作させ、前記還元性ガスと前記ハロゲン系ガスを含む混合ガスのプラズマにより前記被処理基板のエッチングを実行するエッチング実行手段と、
f) 前記半導体層に該層を透過する波長を有する光を照射し、該半導体層の表面及び下面においてそれぞれ反射した光を干渉させて干渉光スペクトルを取得する干渉光スペクトル取得手段と、
g) 前記干渉光スペクトルの時間的な変化に基づいて前記半導体層の厚さの変化をリアルタイムでモニタリングする膜厚モニタリング手段と、
h) 前記エッチング実行手段により前記被処理基板のエッチングを実行する前に、前記還元性ガス導入手段を動作させて前記処理室内に還元性ガスを流通させる前処理実行手段と
を備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 104 Z
, H05H 1/46 L
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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