紫外光発光ダイオード装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：向井尚子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-502421
公開番号（公開出願番号）：特表2012-522388
出願日： 2009年08月26日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

本発明は、UVLED装置及びその製造方法を提供する。この装置は、基板(1)上に下から上への順で設けられたAlN核層(2、3)、真性AlGaNエピタキシャル層(4)、n-型AlGaNバリア層(5)、活性領域(6)、第1のp-型AlGaNバリア層(7)、第2のp-型AlGaNバリア層(8)、及びp-型GaNキャップ層(9)を含備える。p-型GaNキャップ層には、発生した光を発するためのウインド領域(10、W、A)をエッチングしている。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板(1)上に順に成長したAlN核層(2、3)、真性AlGaNエピタキシャル層(4)、第1導電型AlGaNバリア層(5)、活性領域(6)、第2導電型の第1のAlGaNバリア層(7)、第2導電型の第2のAlGaNバリア層(8)、及び第2導電型GaNキャップ層(9)を含み、第2導電型GaNキャップ層(9)には、発生した光を発するためのウインド(10、W、A)を設けていることを特徴とする紫外光発光ダイオード装置。

IPC (6件)：

H01L 33/32 , H01L 33/38 , H01L 33/20 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 21/285

FI (7件)：

H01L33/00 186 , H01L33/00 210 , H01L33/00 170 , H01L21/205 , H01L21/302 101C , H01L21/302 104C , H01L21/285 P

Fターム (56件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG04 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB12 , 5F004DB19 , 5F004EA10 , 5F004EA29 , 5F004EA37 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA85 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F045HA13 , 5F045HA14

引用特許：

審査官引用 (13件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-056916 出願人：大阪瓦斯株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-002511 出願人：日本碍子株式会社, 国立大学法人名古屋工業大学
II-VI族半導体発光素子および半導体面発光レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-256637 出願人：日本電信電話株式会社

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