特許
J-GLOBAL ID：201003001714592141
エッチング装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-161967
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003915
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】真空チャンバ10内に、被処理物20を載置するステージ22が設けられている。真空チャンバ10内のステージ22の上方に、ICP電極24(第1の電極)が設けられている。ICP電極24と真空チャンバ10の天井12の間に、平面状電極26(第2の電極)が設けられている。真空チャンバ10内に処理ガスを導入するガス供給手段16が設けられている。高周波電源32が、ICP電極24に接続され、かつ可変コンデンサ36(可変容量素子)を介して平面状電極26にも接続されている。高周波電源32がICP電極24及び平面状電極26に高周波電力を供給することで、真空チャンバ10内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、被処理物を載置するステージと、
前記真空チャンバ内の前記ステージの上方に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極と前記真空チャンバの天井の間に設けられた第2の電極と、
前記真空チャンバ内に処理ガスを導入するガス供給手段と、
前記第2の電極に接続された可変容量素子と、
前記第1の電極に接続され、かつ前記可変容量素子を介して前記第2の電極に接続された高周波電源とを備え、
前記高周波電源が前記第1の電極及び前記第2の電極に高周波電力を供給することで、前記真空チャンバ内に前記処理ガスの誘導結合プラズマが発生することを特徴とするエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101C
, H05H1/46 L
5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CB10
, 5F004DB19
, 5F004EA13
