特許

J-GLOBAL ID：201703007279187531

半導体装置

発明者： 鈴木 真理子 ,  酒井 忠司 ,  佐久間 尚志 ,  片桐 雅之 ,  山崎 雄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-260233
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107454
特許番号：特許第6104575号
出願日： 2012年11月28日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 主面が{111}面から<011>方向に45度以下の傾斜を有する面方位である第1導電型の第1のダイヤモンド半導体層と、 前記第1のダイヤモンド半導体層に形成されるトレンチ構造と、 前記トレンチ構造内の前記第1のダイヤモンド半導体層上に形成され、前記第1のダイヤモンド半導体層より低不純物濃度の第2のダイヤモンド半導体層と、 前記第2のダイヤモンド半導体層上に形成され、前記第2のダイヤモンド半導体層よりも高不純物濃度の第2導電型の第3のダイヤモンド半導体層と、 前記第1のダイヤモンド半導体層に電気的に接続される第1の電極と、 前記第3のダイヤモンド半導体層に電気的に接続される第2の電極と、 を備え、 前記第1のダイヤモンド半導体層と前記第2のダイヤモンド半導体層の界面の面方位が{100}面または{110}面から±10度以内の面方位であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/91 F ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-276457   出願人：株式会社デンソー
• ダイヤモンド膜の製造方法およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-042603   出願人：日本電信電話株式会社
• ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-312308   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-276457   出願人：株式会社デンソー
• ダイヤモンド膜の製造方法およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-042603   出願人：日本電信電話株式会社
• ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-312308   出願人：住友電気工業株式会社