特許

J-GLOBAL ID：200903021603293765

ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法

発明者： 原田 真
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 川嶋 正章 ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-312308
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130699
出願日： 2006年11月18日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】埋込選択成長を利用して製造コストを削減しつつ、高耐圧特性を有するワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】4H-SiC基板10の上にn型のドリフト層11を成長させた後、マスク部材M1の開口部をエッチングして、凹部Rsを形成する。マスク部材M1を付けたままで、埋込選択エピタキシャル成長法により、第1の埋込選択成長層であるパッド膜12を形成し、引き続き、第2の埋込選択成長層であるp型のアノード側領域13形成する。大電界が生じるpn接合界面であるパッド膜12とアノード側領域13との界面領域には、ほとんどエッチングダメージがないので、高耐圧特性が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エッチングにより、ワイドバンドギャップ半導体からなる第1導電型の前記下地半導体層の一部に凹部を形成する工程(a)と、 前記凹部に第1導電型もしくはイントリンシックの第1の埋込選択成長層をエピタキシャル成長させる工程(b)と、 前記工程(b)の後で、前記第1の埋込選択成長層の上に第2導電型の第2の埋込選択成長層をエピタキシャル成長させる工程(c)と、 を含むワイドバンドギャップ半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/329 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (10件)：

H01L29/91 B ,  H01L29/91 F ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 E

Fターム (21件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD78 ,  4M104FF31 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG11 ,  4M104GG14 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048BA14 ,  5F048BC03 ,  5F048BD07 ,  5F048BF02

引用特許：

出願人引用 (5件)

• ワイドバンドギヤツプ材料をpn電流阻止層に用いた半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327066   出願人：古河電気工業株式会社
• GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327632   出願人：古河電気工業株式会社
• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060511   出願人：日本電気株式会社
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-259997   出願人：株式会社デンソー
• 選択的エピタキシまたは選択的注入の使用による、炭化ケイ素におけるセルフアライントランジスタおよびダイオードトポロジー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-573679   出願人：ミシシッピ・ステイト・ユニバーシティ

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-259997   出願人：株式会社デンソー
• 選択的エピタキシまたは選択的注入の使用による、炭化ケイ素におけるセルフアライントランジスタおよびダイオードトポロジー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-573679   出願人：ミシシッピ・ステイト・ユニバーシティ