特許

J-GLOBAL ID：201703007702036995

保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法

発明者： 堂本 千秋 ,  林 雄一郎 ,  上山 大輔
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-097713
公開番号（公開出願番号）：特開2016-196402
出願日： 2016年05月16日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：

【課題】炭化珪素の結晶を製造するための、成長の途中で原料または添加材を保給すること可能な長時間の成長が可能な保持体、結晶製造装置及び結晶の製造方法の提供。【解決手段】上方から側面にかけて貫通した貫通孔2a’を有し、貫通孔2a’の内壁は材料補給可能な供給路を構成し、下端に種結晶3を保持する保持体保持体2を準備し、坩堝内に配置された炭素を含む珪素の溶液に、炭化珪素からなる種結晶3を前記溶液に接触させ、溶液に含まれる元素の原料又は添加材を保持体2の貫通孔2a’から前記溶液に供給する結晶の製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下端に種結晶を保持する保持体であって、 上方から側面にかけて貫通した貫通孔を有しており、 前記貫通孔の内壁は、材料補給可能な供給路を構成する、保持体。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CC04 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077ED06 ,  4G077EG11 ,  4G077EG14 ,  4G077LA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 気相成長法による単結晶の製造装置および製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-127482   出願人：オクメティックオーワイジェイ
• 単結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-418346   出願人：住友金属工業株式会社
• 炭化珪素単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-165719   出願人：株式会社デンソー