特許
J-GLOBAL ID：201703008118534750

銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法

発明者：
長友 義幸

長友 義幸 について

, 
長瀬 敏之

長瀬 敏之 について

, 
寺▲崎▼ 伸幸

寺▲崎▼ 伸幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-246222
公開番号（公開出願番号）：特開2014-096432
特許番号：特許第6201297号
出願日： 2012年11月08日
公開日（公表日）： 2014年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層と、を備え、 前記金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が前記セラミックス基板の他方の面に接合されて構成されており、 前記回路層は、銅又は銅合金からなる銅板が前記セラミックス基板の一方の面にろう付けされて構成されており、 前記銅板は半導体素子が接合されるダイパッドと、前記ダイパッドから延出するリード部と、前記リード部を連結するガイド枠と、を有しており、前記銅板の前記ダイパッドが前記セラミックス基板の一方の面にろう付けされており、 前記回路層の厚さt1と前記金属層の厚さt2との関係が、t1 IPC (5件)：
H01L 23/48 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 23/48 G ,  H01L 23/36 C ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/12 J
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM