特許
J-GLOBAL ID：201703008762150408
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-113668
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007396
特許番号：特許第6208469号
出願日： 2013年05月30日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シフトレジスタと、前記シフトレジスタの出力信号に従ってビデオ信号をサンプリングする回路と、を有し、
前記回路は、複数のトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体積層に設けられ、
前記酸化物半導体積層は、インジウム及びインジウム以外の第13族元素を含む第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜下の、インジウム及びインジウム以外の第13族元素を含む第2の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上の、インジウム及びインジウム以外の第13族元素を含む第3の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第1の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第13族元素の原子数比より大きく、
前記第2の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第13族元素の原子数比以下であり、
前記第3の酸化物半導体膜は、インジウムの原子数比がインジウム以外の第13族元素の原子数比以下であり、
前記第1の酸化物半導体膜は、結晶性を有し、
前記第2の酸化物半導体膜及び前記第3の酸化物半導体膜は、前記第1の酸化物半導体膜とは結晶性が異なるとを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1345 ( 200 6.01)
, H05B 33/08 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
, H05B 33/06 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 612 B
, G02F 1/134
, H05B 33/08
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
, H05B 33/06
