特許
J-GLOBAL ID：201703009010017438

電界放出素子及び電界放出素子を備える装置

発明者：
長尾 昌善

長尾 昌善 について

, 
吉澤 俊一

吉澤 俊一 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

国立研究開発法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-071332
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183180
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：
【課題】放電により破壊されることを防止した、絶縁耐性の向上した電界放出素子及び該電界放出素子を備える装置を提供する。【解決手段】電界放出素子において、先端が先鋭な電子放出端となっているエミッタと、前記エミッタの先端を露呈する開口を有する引き出し用ゲート電極と、前記エミッタの電子放出端を露出する開口周縁を有し、前記エミッタの側壁を被覆するエミッタ側壁被覆絶縁層とを備え、前記エミッタの先端と前記引き出し用ゲート電極との最短距離をD、前記エミッタと前記エミッタ側壁被覆絶縁層と真空の三つの境界線が重なる三重点と、電子放出端との距離をLtとした時に、Lt<D/2を満たす構造とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
先端が先鋭な電子放出端となっているエミッタと、 前記エミッタの先端を露呈する開口を有する引き出し用ゲート電極と、 前記エミッタの電子放出端を露出する開口周縁を有し、前記エミッタの側壁を被覆するエミッタ側壁被覆絶縁層とを備え、 前記エミッタの先端と前記引き出し用ゲート電極との最短距離をD、前記エミッタと前記エミッタ側壁被覆絶縁層と真空の三つの境界線が重なる三重点と、電子放出端との距離をLtとした時に、 Lt<D/2 であることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
Fターム (10件)：
5C227AA12 ,  5C227AB03 ,  5C227AD03 ,  5C227AD06 ,  5C227AD14 ,  5C227AD15 ,  5C227AD22 ,  5C227AD28 ,  5C227AD32 ,  5C227AD37
引用特許：
審査官引用 (3件)

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