特許
J-GLOBAL ID：201703009122955791

基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

発明者：
高橋 哲

高橋 哲 について

, 
豊田 一行

豊田 一行 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-015561
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135316
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【目的】本発明は、処理室を高温に維持して基板を処理する場合であっても、周囲の構造への熱影響を抑制可能とすることを目的とする【解決手段】本発明の一態様によれば、第一の基板を加熱する第一加熱部と、前記第一の基板が処理される第一処理空間と、前記第一処理空間の下方に配される第一搬送空間と、前記第一処理空間と前記第一搬送空間を構成する壁とを備えた第一処理室と、 前記壁の一部である共通壁を挟んで前記第一処理室に隣接され、第二の基板を加熱する第二加熱部と、前記第二の基板が処理される第二処理空間と、前記第二処理空間の下方に配される第二搬送空間と、を備えた第二処理室と、前記第一処理室と前記第二処理室を構成する壁のうち、前記共通壁と異なる壁を構成する他の壁と、前記共通壁と前記他の壁に設けられ、前記他の壁よりも前記共通壁の冷却効率が高くなるよう構成される冷却流路と、を有する技術が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一の基板を加熱する第一加熱部と、前記第一の基板が処理される第一処理空間と、前記第一処理空間の下方に配される第一搬送空間と、前記第一処理空間と前記第一搬送空間を構成する壁とを備えた第一処理室と、 前記壁の一部である共通壁を挟んで前記第一処理室に隣接され、第二の基板を加熱する第二加熱部と、前記第二の基板が処理される第二処理空間と、前記第二処理空間の下方に配される第二搬送空間と、を備えた第二処理室と、 前記第一処理室と前記第二処理室を構成する壁のうち、前記共通壁とは異なる壁を構成する他の壁と、 前記共通壁と前記他の壁に設けられ、前記他の壁よりも前記共通壁の冷却効率が高くなるよう構成される冷却流路と、 を有する基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/677 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/68 A ,  H01L21/31 C ,  C23C16/44 F ,  C23C16/44 Z
Fターム (69件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA01 ,  4K030KA26 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK07 ,  5F045GB05 ,  5F131AA02 ,  5F131BA01 ,  5F131BA02 ,  5F131BA19 ,  5F131BA24 ,  5F131BB03 ,  5F131BB04 ,  5F131CA02 ,  5F131DA32 ,  5F131DA33 ,  5F131DA36 ,  5F131DA43 ,  5F131DB03 ,  5F131DB52 ,  5F131DB57 ,  5F131DB62 ,  5F131DB72 ,  5F131DB76 ,  5F131DB82 ,  5F131DD82 ,  5F131EA03 ,  5F131EB72 ,  5F131EB81 ,  5F131GA14 ,  5F131GA88 ,  5F131HA05 ,  5F131HA13 ,  5F131HA28 ,  5F131HA29 ,  5F131JA08 ,  5F131JA09 ,  5F131JA12 ,  5F131JA14 ,  5F131JA24 ,  5F131JA29 ,  5F131JA33 ,  5F131JA34 ,  5F131KA23 ,  5F131KB44
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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