特許

J-GLOBAL ID：201703009183539804

SiCエピタキシャルウェハの製造装置およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法

発明者： 乘松 潤 ,  宮坂 晶 ,  影島 慶明
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦 ,  三國 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-266010
公開番号（公開出願番号）：特開2015-122443
特許番号：特許第6097681号
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 SiC基板の主面上に、化学的気相成長法によってSiCエピタキシャル膜を成長させるSiCエピタキシャルウェハの製造装置であって、 凹状収容部を有する搭載プレートと、 前記凹状収容部内に配置され、上面にSiC基板が載置されるサテライトと、 前記凹状収容部内に、SiC基板より下方の位置であってSiC基板に接触しない位置に配置されたカーボン部材と、 SiC基板とほぼ同じサイズの開口部を有し、SiC基板の側面を囲むように配置された基板保持リングとを備え、 前記カーボン部材は、その基板保持リングの下に配置されたリング状部材である、SiCエピタキシャルウェハの製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  C23C 16/458 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• CVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-213465   出願人：株式会社デンソー
• 成膜装置および成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-348502   出願人：東京エレクトロン株式会社, ローム株式会社, 国立大学法人京都大学
• エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-171636   出願人：昭和電工株式会社