特許
J-GLOBAL ID：201303062309451639
エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-171636
公開番号（公開出願番号）：特開2013-038153
出願日： 2011年08月05日
公開日（公表日）： 2013年02月21日
要約：
【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板3の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板3の下面に近接して配置された遮蔽板12は、ガス導入口9を反応空間Kの内側に臨ませる開口部13を中央部に有する基材12aと、この基材12aの下面を被覆する薄膜12bとを有し、薄膜12bの表面は、基材12aの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段8により加熱されて遮蔽板12が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板12の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置であって、
前記ウェハが載置される複数の載置部を有して、これら複数の載置部が周方向に並んで配置されたサセプタと、
前記サセプタとの間で反応空間を形成するように、前記サセプタの上面に対向して配置された天板と、
前記サセプタの下面側及び/又は前記天板の上面側に配置されて、前記載置部に載置されたウェハを加熱する加熱手段と、
前記天板の上面中央部から前記反応空間内に前記原料ガスを導入するガス導入口を有して、このガス導入口から放出された原料ガスを前記反応空間の内側から外側に向かって供給するガス供給手段と、
前記チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、前記天板の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、前記天板の下面に近接して配置された遮蔽板とを備え、
前記遮蔽板は、前記ガス導入口を前記反応空間の内側に臨ませる開口部を中央部に有する基材と、この基材の下面を被覆する薄膜とを有し、
前記薄膜の表面は、前記基材の下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、
前記加熱手段により加熱されて前記遮蔽板が熱変形したときに、前記凹凸形状によって前記遮蔽板の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制されることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/42
, C23C 16/44
H01L21/205
, C23C16/42
, C23C16/44 J
4K030BA37
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030KA09
, 4K030KA12
, 4K030KA23
, 4K030KA47
, 5F045AA03
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045BB15
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EB02
, 5F045EC05
, 5F045EM08
, 5F045EM10
