半導体のパッケージング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-134350
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213426
出願日： 2015年07月03日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：

【課題】中空キャビティを形成する半導体のパッケージング方法を提供する。【解決手段】提供工程では、ベースと、周壁と、凹部とを有し、周壁がベースに形成されており、周壁が表面を有し、且つ周壁及びベースに凹部が形成されている下基板を提供する。形成工程では、周壁の表面に、表面を有する第一アンダーバンプメタル(UBM層)を形成する。設置工程では、隣接する2つの半田ボールの間のピッチが各半田ボールの直径の半分以上となるよう、第一アンダーバンプメタル(UBM層)の表面に、複数の半田ボールを設置する。リフロー工程では、半田ボールを熔かし相互に結合させて接合層を形成し、接合層により第一アンダーバンプメタル(UBM層)の表面が被覆されるよう、半田ボールに対してリフローを行う。接合工程では、電子素子を収容する中空キャビティを形成する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

電子素子を収容するのに用いられる中空キャビティを形成する半導体のパッケージング方法であって、ベースと、周壁と、凹部とを有し、前記周壁が前記ベースに形成されており、前記周壁が表面を有し、且つ前記周壁及び前記ベースに前記凹部が形成されている下基板を提供する提供工程と、前記周壁の前記表面に、表面を有する第一アンダーバンプメタルを形成する形成工程と、隣接する2つの半田ボールの間のピッチが各前記半田ボールの直径の半分以上となるよう、前記第一アンダーバンプメタルの前記表面に、複数の前記半田ボールを設置する設置工程と、前記半田ボールを熔かし相互に結合させて接合層を形成し、前記接合層により前記第一アンダーバンプメタルの前記表面が被覆されるよう、前記半田ボールに対してリフローを行うリフロー工程と、前記上基板及び前記下基板を接合し、前記接合層に結合されている結合表面を有する前記上基板により前記下基板の前記凹部を密封し、前記電子素子を収容する中空キャビティを形成する接合工程と、を含むことを特徴とする半導体のパッケージング方法。

IPC (2件)：

H01L 23/02 , H01L 23/15

FI (2件)：

H01L23/02 C , H01L23/14 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-095775 出願人：松下電器産業株式会社
電子デバイスをパッケージングするためのシステムおよび方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-534989 出願人：レイセオンカンパニー
半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-270587 出願人：京セラ株式会社

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