特許
J-GLOBAL ID：201703009574714058
拡散剤組成物、及び不純物拡散層の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森下 賢樹
, 青木 武司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-045618
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175407
特許番号：特許第6099437号
出願日： 2013年03月07日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、
ホウ素化合物(A)と、
シリカとアルミナの少なくとも一方を含む微粒子(B)と、
シロキサン化合物(C)と、
有機溶媒(D)と、
下記一般式(11)で表される多価アルコール(E)と、を含有し、
前記微粒子(B)の含有量は、組成物全体に対して3質量%以上30質量%未満であることを特徴とする拡散剤組成物。
[一般式(11)中、jは0〜3の整数である。kは1以上の整数である。R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基である。R4及びR5が複数の場合は複数のR4及びR5はそれぞれ同じでも異なってもよい。またjが2以上である場合、複数のR4及びR5は必ず一つ以上の水酸基又は炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基を含む。R6及びR7は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基である。]
IPC (2件)：
H01L 21/225 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
H01L 21/225 R
, H01L 31/04 440
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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