特許
J-GLOBAL ID：201703009847228992

垂直磁気異方性の強化のための二重MgO界面およびCoFeB層を有する垂直スピントランスファートルク(STT)メモリセル

発明者：
サンムン オー

サンムン オー について

, 
ゼン ガオ

ゼン ガオ について

, 
コチャン ジュ

コチャン ジュ について


出願人/特許権者：
エイチジーエスティーネザーランドビーブイ

エイチジーエスティーネザーランドビーブイ について


代理人 (1件)： 特許業務法人平木国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-054901
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178301
特許番号：特許第6202764号
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基材と; 前記基材上の垂直磁気異方性を有する強磁性基準層であって、前記基準層の平面に対して実質的に垂直な固定された磁性を有する基準層と; Co、FeおよびBを含んでなり、かつ垂直磁気異方性を有する強磁性自由層であって、前記自由層の平面に対して実質的に垂直な磁性を有し、かつ前記基準層の前記磁性に対して実質的に平行と実質的に逆平行の間で切り替えが可能である自由層と; 前記基準層と前記自由層の間の絶縁性酸化物トンネルバリア層と; 前記自由層上であり、かつそれと接触する絶縁性酸化物キャッピング層と; 前記絶縁性酸化物キャッピング層上であり、かつそれと接触し、かつCo、FeおよびBを含んでなる強磁性強化層と; 前記強化層上の非磁性キャップ層と を含み、 前記強化層が、式(Co(100-x)Fex)(100-y)By(式中、xは原子パーセントであり、かつ4以上〜20以下であり、およびyは原子パーセントであり、かつ15以上〜25以下である)の組成を有する、磁気トンネル接合メモリセル。
IPC (7件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01F 10/32 ( 200 6.01) ,  H01F 10/16 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 27/105 447 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 29/82 Z ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/16
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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