特許

J-GLOBAL ID：201703010214640728

半導体装置及び半導体装置の設計方法

発明者： 北浦 智靖
出願人/特許権者： 株式会社ソシオネクスト
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219592
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072491
特許番号：特許第6044240号
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に形成された第1の配線層で形成され、第1の方向に配置された第1の信号線と、 前記第1の配線層で形成され、前記第1の方向に、前記第1の信号線を挟んで両側に配置され、第1の固定電位が与えられた第1及び第2のシールド線と、 前記半導体基板上に形成された第2の配線層で形成され、第1の配線幅及び第1の配線間隔で、前記第1の方向に対して概ね直交する第2の方向に、前記第1の信号線並びに前記第1及び第2のシールド線のそれぞれと一部が重なるように配置され、前記第1の固定電位が与えられた複数の第3のシールド線と、 前記第2の配線層で形成され、前記第1の配線幅及び前記第1の配線間隔で、前記第2の方向に、前記第1の信号線並びに前記第1及び第2のシールド線のそれぞれと一部が重なるように配置された複数の第2の信号線と、 を有し、 前記複数の第3のシールド線は、その間に前記第2の信号線を挟まず、相互に隣接する第1のグループを構成し、 前記複数の第2の信号線は、その間に前記第3のシールド線を挟まず、相互に隣接する第2のグループを構成し、 前記第1のグループと前記第2のグループは、その間に他の配線を挟まず、相互に隣接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  G06F 17/50 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 C ,  G06F 17/50 658 K ,  G06F 17/50 658 U

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-302153   出願人：松下電器産業株式会社
• 伝送線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-132375   出願人：国立大学法人東京大学
• VLSI(verylargescaleintegration)回路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-108585   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特許第6510545号
  

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-302153   出願人：松下電器産業株式会社
• 伝送線路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-132375   出願人：国立大学法人東京大学
• VLSI(verylargescaleintegration)回路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-108585   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特許第6510545号