特許
J-GLOBAL ID：201703010717646235
電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-014053
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135868
出願日： 2016年01月28日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】複数の半導体素子を内蔵したパワーモジュールの素子間発熱バラつきを低減して精度良く熱抵抗を計測する熱抵抗計測方法および精度良く熱抵抗を計測する機能を備えた電力変換装置を提供する。【解決手段】パワーモジュール7と、前記パワーモジュールの熱抵抗を計測する熱抵抗計測部8と、前記パワーモジュールのゲート電圧を制御する制御部9と、を備える電力変換装置5である。前記パワーモジュールは、ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有する。前記制御部は、前記複数の半導体素子のドレイン-ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、前記複数の半導体素子のゲート-ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御することを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
パワーモジュールと、
前記パワーモジュールの熱抵抗を計測する熱抵抗計測部と、
前記パワーモジュールのゲート電圧を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記パワーモジュールは、ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有し、
前記制御部は、前記複数の半導体素子のドレイン-ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート-ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御することを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
2G003AA02
, 2G003AB15
, 2G003AB16
, 2G003AD06
, 2G003AE06
, 2G003AH05
, 5H770AA28
, 5H770BA01
, 5H770DA03
, 5H770DA41
, 5H770GA17
, 5H770HA02Y
, 5H770HA03X
, 5H770HA12X
