特許
J-GLOBAL ID：201503097961085566
熱抵抗計測方法及び熱抵抗計測装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-134768
公開番号（公開出願番号）：特開2015-010866
出願日： 2013年06月27日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：
【課題】熱抵抗計測の精度を向上させる。【解決手段】熱抵抗計測方法では、第1電極と第2電極との間に印加される電圧に応じて第3電極から第2電極へ電流を流す半導体素子の素子温度を、半導体素子が発熱しない程度の一定の電流を通電させた際の第1電極と第2電極との間の非発熱時電圧の温度係数に基づき計測する(ステップS2,S5)。また、熱抵抗計測方法では、半導体素子の第1電極と第2電極との間に印加する電圧を一定にして第3電極に半導体素子が発熱する一定の電流を通電させて、半導体素子が発熱する電流と、半導体素子の発熱時の第3電極及び第2電極の間の発熱時電圧とに基づいて電力を計測する(ステップS3,S4)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間に印加される電圧に応じて第3電極から第2電極へ電流を流す半導体素子を収納する半導体装置の外装温度を計測する工程と、
前記半導体素子が発熱しない程度の一定の電流を通電し、前記半導体素子の前記第3電極と前記第2電極との間の第1電圧が一定になるように制御された前記半導体素子の前記第1電極と前記第2電極との間の第2電圧を計測し、前記第2電圧と、前記第2電圧に関する温度係数とに基づき前記半導体素子の素子温度を算出する工程と、
前記半導体素子の前記第1電極と前記第2電極との間に印加する第3電圧を一定にして前記第3電極と前記第2電極との間に前記半導体素子が発熱する一定の電流を通電させる工程と、
前記半導体素子が発熱する前記電流と、前記半導体素子の発熱時の前記第3電極及び前記第2電極の間の第4電圧とに基づいて電力を算出する工程と、
前記半導体素子が発熱しない程度の一定の電流を通電し、前記半導体素子の前記第3電極と前記第2電極との間の前記第1電圧が一定になるように制御された前記半導体素子の前記第1電極と前記第2電極との間の第5電圧を計測し、前記第5電圧と、前記第5電圧に関する温度係数とに基づき前記半導体素子の素子温度を算出する工程と、
前記半導体素子の発熱後の前記外装温度を計測する工程と、
前記半導体素子の発熱前後の前記外装温度の変化量並びに前記素子温度の変化量と、前記電力とに基づき、前記半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、
を有することを特徴とする熱抵抗計測方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01R31/26 B
, G01R31/26 A
2G003AA01
, 2G003AA02
, 2G003AB15
, 2G003AB16
, 2G003AD06
, 2G003AH05
