半導体レーザ素子及び半導体レーザモジュール

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出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 石田悟
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-228035
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082258
特許番号：特許第6044887号
出願日： 2012年10月15日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】端面発光型の半導体レーザ素子であって、基板上に形成された下部クラッド層と、上部クラッド層と、前記下部クラッド層と前記上部クラッド層との間に介在する活性層と、前記活性層と前記上部及び下部クラッド層の少なくともいずれか一方との間に介在するフォトニック結晶層と、前記上部クラッド層に関して前記基板と反対側に形成されたコンタクト層と、前記活性層における前記半導体レーザ素子の光出射端面に平行で且つ前記活性層が延びる方向に並んで位置する複数の領域に駆動電流を供給するために、前記コンタクト層上における前記複数の領域に対応する領域に配置された複数の駆動電極と、前記コンタクト層上における前記複数の駆動電極が配置された前記領域以外の領域を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記複数の駆動電極のうち対応する駆動電極と電気的に接続された複数の電極パッドと、を備え、前記活性層の複数の領域は、第1領域及び第2領域を含み、前記複数の駆動電極は、前記第1領域に駆動電流を供給するための第1駆動電極及び前記第2領域に駆動電流を供給するための第2駆動電極を含む複数の駆動電極を含み、前記第1駆動電極の長手方向は、前記半導体レーザ素子の厚み方向から見た場合、この半導体レーザ素子の光出射端面の法線に対して、傾斜しており、前記フォトニック結晶層の前記第1領域に対応する領域は、周囲と屈折率が異なる異屈折率部の配列周期が互いに異なる第1及び第2の周期構造を有しており、前記第1及び第2の周期構造におけるそれぞれの前記配列周期の逆数の差分に応じて、前記半導体レーザ素子の厚み方向から見た場合、前記第1駆動電極の前記長手方向に対して所定の角度を成す2つ以上のレーザビームが前記半導体レーザ素子内部で生成され、これらのレーザビームの中で前記光出射端面に向かう1つが前記光出射端面に対して屈折角90度未満となるように設定され、前記光出射端面に向かう別の少なくとも1つが前記光出射端面に対して全反射臨界角条件を満たすように設定されており、前記第2駆動電極の長手方向は、前記半導体レーザ素子の厚み方向から見た場合、この半導体レーザ素子の前記光出射端面の法線に対して、傾斜しており、前記フォトニック結晶層の前記第2領域に対応する領域は、周囲と屈折率が異なる異屈折率部の配列周期が互いに異なる第3及び第4の周期構造を有しており、前記第3及び第4の周期構造におけるそれぞれの前記配列周期の逆数の差分に応じて、前記半導体レーザ素子の厚み方向から見た場合、前記第2駆動電極の前記長手方向に対して所定の角度を成す2つ以上のレーザビームが前記半導体レーザ素子内部で生成され、これらのレーザビームの中で前記光出射端面に向かう1つが前記光出射端面に対して屈折角90度未満となるように設定され、前記光出射端面に向かう別の少なくとも1つが前記光出射端面に対して全反射臨界角条件を満たすように設定され、前記第1及び第2の周期構造におけるそれぞれの前記配列周期の逆数の差分は、前記第3及び第4の周期構造におけるそれぞれの前記配列周期の逆数の差分とは異なる、ことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/12 ( 200 6.01) , H01S 5/022 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/12 , H01S 5/022

引用特許：

審査官引用 (4件)

光増幅装置及びそれを用いた半導体レーザ装置,並びにそれらの駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-329138 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置及びその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-113146 出願人：富士ゼロックス株式会社
光走査装置及び画像形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-345688 出願人：株式会社リコー

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引用文献：

審査官引用 (2件)

High-efficiency photonic crystal microlaser integrated with a passive waveguide
Direction-Controllable, Single-Lobed Photonic Crystal Lasers for Beam Steering Functionality

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