特許

J-GLOBAL ID：200903077212426995

マルチビーム半導体レーザ素子

発明者： 矢吹 義文 ,  日野 智公 ,  後藤 修 ,  安齋 信一 ,  東條 剛 ,  内田 史朗 ,  池田 昌夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182304
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374029
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】 作製が容易で、多様化が容易な構成を備え、しかもGaN系半導体レーザ素子にも適用できるマルチビーム半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本マルチビーム半導体レーザ素子10は、半導体レーザ素子12A、Bと、半導体レーザ素子をマウントさせるサブマウント14とから構成される。半導体レーザ素子は、レーザストライプ18をメサ16上に備え、リッジストライプ上にp側電極20を、メサ脇のコンタクト層上にn側電極22を有する。サブマウントは、半導体レーザ素子との接合面14a上に、相互に電気的に絶縁された状態で、p側電極20と接合する第1接合電極24、及びn側電極22と接合する第2接合電極26を備える。第1接合電極24及び第2接合電極26は、Al配線層とはんだ層とから形成されている。p側電極と第1接合電極とを、n側電極と第2接合電極とを接合し、ジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子をサブマウントにマウントすることにより、複数個のレーザストライプを備えたマルチビーム半導体レーザ素子を形成することができる。

請求項（抜粋）：

それぞれ、レーザストライプを上部に有し、レーザストライプと同じ方向に延在するメサを備え、一方の電極をリッジストライプ上に、他方の電極をメサ脇に有する、複数個の半導体レーザ素子と、それぞれ、配線層と、配線層上に設けられたはんだ層とから形成され、一方の電極と接合する第1接合電極、及び他方の電極と接合する第2接合電極、並びに、相互に絶縁された第1接合電極の配線層の第1延長パターン及び第2接合電極の配線層の第2延長パターンを接合面上に有するサブマウントとを有し、半導体レーザ素子の一方の電極と第1接合電極とを、他方の電極と第2接合電極とを接合し、エピサイドダウン方式で半導体レーザ素子をサブマウントにマウントしたことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/22 610 ,  H01S 5/323 610 ,  H01S 5/40

FI (4件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/22 610 ,  H01S 5/323 610 ,  H01S 5/40

Fターム (6件)：

5F073AA11 ,  5F073AB04 ,  5F073CA02 ,  5F073FA16 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体レーザーの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061097   出願人：ソニー株式会社
• 光電変換素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-126527   出願人：ソニー株式会社
• 半導体発光装置、その製造方法およびマウント部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315759   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206937   出願人：株式会社東芝
• 光半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-170474   出願人：日本電気株式会社