特許

J-GLOBAL ID：201703010753214040

エッチング組成物及びその使用方法

発明者： リウ ウエン ダー ,  リー イー-チア ,  ティエンニウ チェン ,  トーマス メブラートゥ ,  アイピン ウー ,  ツォン エドワード チア カイ ,  ジーン エバード パリス
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (7件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  胡田 尚則 ,  出野 知 ,  木村 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-229307
公開番号（公開出願番号）：特開2017-108122
出願日： 2016年11月25日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：

【課題】半導体基材のエッチングに有用な組成物及び該組成物の使用方法を提供する。【解決手段】約25〜86質量%の水、約0〜約60質量%の水混和性有機溶媒、4級アンモニウム化合物を含む約1〜約30質量%の塩基、2級アミン、3級アミン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、約1〜約50質量%のアミン化合物、約0〜約5質量%の緩衝剤、約0〜約15質量%の腐食防止剤を含む組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有効エッチング量で 約25〜86質量%の水と、 約0〜約60質量%の水混和性有機溶媒と、 約1〜約30質量%の4級アンモニウム化合物と、 2級アミン、3級アミン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、約1〜約50質量%のアミン化合物と、 約0〜約5質量%の緩衝剤と、 約0〜約15質量%の腐食防止剤とを含み、 シグマ形状プロファイルを与える、半導体基材のエッチングに有用な組成物。

IPC (1件)：

H01L 21/308

FI (1件)：

H01L21/308 A

Fターム (6件)：

5F043AA02 ,  5F043AA05 ,  5F043AA11 ,  5F043BB01 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコンエッチング液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-337953   出願人：株式会社トクヤマ
• サイドウォール除去液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-337599   出願人：昭和電工株式会社
• 特許第8551846号
  
• ホトレジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120378   出願人：東京応化工業株式会社