特許
J-GLOBAL ID:201703010849129450

配線基板の製造方法、配線基板及び配線基板製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小西 恵 ,  永岡 重幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-122687
公開番号(公開出願番号):特開2017-011010
出願日: 2015年06月18日
公開日(公表日): 2017年01月12日
要約:
【課題】シード層と絶縁層との密着性を担保しつつ、配線パターンの微細化を実現する。【解決手段】配線基板の製造工程として、導電層の上に絶縁層が積層された配線基板材料に対して、絶縁層を貫通する貫通孔を形成する第一工程と、第一工程の後、配線基板材料に対して波長220nm以下の紫外線を照射することにより、当該配線基板材料のデスミア処理を行う第二工程と、第二工程の後、貫通孔内および絶縁層の上に、材料粒子を衝突させ付着させることでシード層を形成する第三工程と、シード層の上に、電解めっきにより導電材料からなるめっき層を形成する第四工程と、を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導電層の上に絶縁層が積層された配線基板材料に対して、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する第一工程と、 前記貫通孔が形成された前記配線基板材料に対して、波長220nm以下の紫外線を照射することにより、当該配線基板材料のデスミア処理を行う第二工程と、 前記デスミア処理された前記貫通孔内および前記絶縁層の上に、材料粒子を衝突させ付着させることでシード層を形成する第三工程と、 前記シード層の上に、電解めっきにより導電材料からなるめっき層を形成する第四工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/42 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/38
FI (4件):
H05K3/42 610A ,  H05K3/18 B ,  H05K3/18 G ,  H05K3/38 A
Fターム (24件):
5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC33 ,  5E317CD01 ,  5E317CD11 ,  5E317CD21 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317CD40 ,  5E317GG03 ,  5E317GG14 ,  5E343AA12 ,  5E343BB71 ,  5E343CC61 ,  5E343DD24 ,  5E343DD25 ,  5E343DD43 ,  5E343EE01 ,  5E343FF23 ,  5E343GG02 ,  5E343GG08
引用特許:
審査官引用 (5件)
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