特許
J-GLOBAL ID：201703010990671226

半導体装置の作製方法

発明者：
須澤 英臣

須澤 英臣 について

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笹川 慎也

笹川 慎也 について

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村岡 大河

村岡 大河 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-042101
公開番号（公開出願番号）：特開2016-136635
特許番号：特許第6043451号
出願日： 2016年03月04日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の作製方法であって、 絶縁表面を有する基板上に第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜をエッチングして、第1の導電層と第2の導電層とを形成し、 前記第1の導電層上及び前記第2の導電層上に、第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜上に第2の導電膜を形成し、 前記第2の導電膜上に複数の第1のマスクを形成し、 前記複数の第1のマスクを用いて、前記酸化物半導体膜及び前記第2の導電膜をエッチングして、前記第1の導電層と重なる領域を有する第1の酸化物半導体層、前記第1の酸化物半導体層上の第3の導電層、前記第2の導電層と重なる領域を有する第2の酸化物半導体層、及び前記第2の酸化物半導体層上の第4の導電層を形成し、 前記複数の第1のマスクをアッシングして、複数の第2のマスクを形成し、 前記複数の第2のマスクを用いて、前記第3の導電層及び前記第4の導電層をエッチングして、前記第1の酸化物半導体層上の第5の導電層及び前記第2の酸化物半導体層上の第6の導電層を形成し、 前記複数の第2のマスクを除去し、 前記第5の導電層上及び前記第6の導電層上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜に第1の開口及び第2の開口を形成し、 前記第2の絶縁膜上に透明導電膜を形成し、 前記透明導電膜をエッチングして、第1の透明導電層及び第2の透明導電層を形成し、 前記複数の第1のマスクは、多階調マスクを用いて形成され、 前記第1の導電層は、ゲート電極層としての機能を有し、 前記第5の導電層は、ソース電極層又はドレイン電極層としての機能を有し、 前記第1の透明導電層は、画素電極としての機能を有し、 前記第1の透明導電層は、前記第1の開口を介して前記第5の導電層と電気的に接続され、 前記第2の透明導電層は、前記第2の開口を介して前記第6の導電層と電気的に接続され、 前記半導体装置の端子部は、前記第2の導電層、前記第2の酸化物半導体層、前記第6の導電層、及び前記第2の透明導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 V ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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