特許
J-GLOBAL ID：201703011835576264
半導体デバイス、太陽電池、太陽電池モジュール、及び組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 大塚 康弘
, 高柳 司郎
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-190311
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178274
出願日： 2015年09月28日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：
【課題】半導体デバイスの耐久性を向上させる。【解決手段】光電変換素子100は、基材107、カソード(電極)101、電子取り出し層(バッファ層)102、活性層103、正孔取り出し層(バッファ層)104、仕事関数チューニング層105及びアノード(電極)106がこの順に形成された層構造を有する。活性層103は、半導体化合物と絶縁性ポリマーとを含有している。仕事関数チューニング層がカソード101と電子取り出し層102との間に存在してもよい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一対の電極と、前記一対の電極間に配置された半導体層と、を有する半導体デバイスであって、前記半導体層が、半導体化合物と絶縁性ポリマーとを含有することを特徴とする、半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 51/44
, H01L 51/46
H01L29/78 618B
, H01L31/04 112Z
, H01L31/04 164
5F110AA14
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110GG01
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG19
, 5F110GG24
, 5F110GG39
, 5F110GG42
, 5F151AA11
