特許
J-GLOBAL ID：201703011955859480
単結晶シリコンインゴット及びウエハ形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 朔生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-123431
公開番号（公開出願番号）：特開2017-075084
出願日： 2016年06月22日
公開日（公表日）： 2017年04月20日
要約：
【課題】本発明は単結晶シリコンインゴット及びウエハ形成方法に関する。【解決手段】最初に、格子間間隔に保持された重水素原子でシリカをドープする。その後、重水素原子でドープしたシリカをチョクラルスキー法に利用して、酸素及び不純物をほとんど有さないインゴットを形成する。その後、インゴットを利用してウエハを形成する。半導体素子をウエハ上に形成すると、そこで重水素原子は拡散し、界面周りのダングリングボンドに結合して、比較的安定した構造を形成する。したがって、ホットキャリアを避けることが可能であり、リークを低下でき、性能及び信頼性を高めることが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンインゴット形成方法であって、
重水素原子でドープしたシリカを提供することと、
インゴットを形成するためチョクラルスキー法を適用して、ドーピング原料としてのドープシリカを多結晶シリコン材料と共に混合した状態で溶融することと、を含む、
方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 15/04
, H01L 21/304
C30B29/06 502A
, C30B15/04
, H01L21/304 611
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EB10
, 4G077HA12
, 4G077PB05
, 5F057BA01
, 5F057BB03
, 5F057CA02
, 5F057CA36
, 5F057DA01
, 5F057DA11
, 5F057DA38
