特許
J-GLOBAL ID：200903005435115567

半導体ウェーハの製造方法

発明者：
原田 晴司

原田 晴司 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134668
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323443
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 面取り工程での加工作業の負担が少なく、かつ複数のインゴット端材の一括スライス時に、全ウェーハの面が所定の結晶面に揃う半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 円筒研削工程において、インゴットブロック10を単結晶シリコンインゴットの結晶成長時における所望の結晶方位と同一方向に延びる軸aを中心に研削ホイール11で円筒研削する。結果、スライス時には単に軸aに対して直交状態でスライスすれば、全シリコンウェーハは、表裏面が所望の結晶面(100)に沿った真円ウェーハとなる。よって面取り時に予め真円加工する必要がなく、面取り工程での加工作業の負担を軽減できる。かつ複数のインゴット端材を一括スライスする際に、簡単に全ウェーハの面を所定結晶面に揃えられる。
請求項（抜粋）：
所望の結晶方位を回転中心軸として回転させることにより半導体単結晶インゴットを成長させる工程と、成長した半導体単結晶インゴットに円筒研削を施す工程と、円筒研削された半導体単結晶インゴットにスライス加工を施す工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法において、成長した半導体単結晶インゴットについて上記結晶方位を測定し、この結晶方位と同一方向に延びる軸を中心として上記円筒研削を行う半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 611 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
H01L 21/304 611 B ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 P
Fターム (9件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106BA20 ,  4M106CB17 ,  4M106DH08 ,  4M106DH25 ,  4M106DH34 ,  4M106DJ38
引用特許：
審査官引用 (9件)
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