特許
J-GLOBAL ID：201703012188676673
ナノインプリントモールドの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
太田 昌孝
, 米田 潤三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061828
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187257
特許番号：特許第6171453号
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 リソグラフィー法によりパターン形成可能な最小寸法未満の寸法のメインパターン及び当該メインパターンよりも寸法の大きいダミーパターンが、同一のパターン形成面に形成されてなるナノインプリントモールドを製造する方法であって、
前記ナノインプリントモールドを構成する基材上に前記メインパターンに対応する第1開口部と、前記ダミーパターンに対応する第2開口部とを有するハードマスクパターンを作成するハードマスクパターン作成工程と、
前記ハードマスクパターン作成工程により作成された前記ハードマスクパターンをマスクとして前記基材をエッチングし、前記メインパターン及び前記ダミーパターンを形成する微細パターン形成工程と
を有し、
前記ハードマスクパターン作成工程は、
前記基材上に設けられている前記第2開口部が形成された前記ハードマスク層上にインプリント樹脂を供給し、前記第1開口部に対応する微細凸状パターンを有する第1開口部形成用インプリントモールドを用いて前記ハードマスク層上の前記インプリント樹脂に、前記第1開口部に対応する開口部を有し、前記第2開口部を被覆する樹脂パターンを形成するインプリント工程と、
前記樹脂パターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするナノインプリントモールドの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, B29C 59/02 ZNM B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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