特許
J-GLOBAL ID：200903036296610720

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
米 田 郁 男

米 田 郁 男 について

, 
馬 越 俊 幸

馬 越 俊 幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084514
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244259
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】テンプレートによるパターンの転写を行わない領域においてエッチング工程や配線材料埋め込み工程で生じる欠陥を低減する。【解決手段】ウェーハ基板1上の被加工膜上に感光性樹脂2を塗布する工程と、感光性樹脂2の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料3を塗布する工程と、一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレート4の前記一方の面を光硬化性材料3に接触する工程と、テンプレート4の他方の面側から光を照射する工程と、テンプレート4を光硬化性材料3から分離する工程と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウェーハ基板上の被加工膜上に感光性樹脂を塗布する工程と、 前記感光性樹脂の一部を露光して現像し、開口部を有する第1のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンの開口部において露出した前記被加工膜上に光硬化性材料を塗布する工程と、 一方の面に所定の凹凸を含む第2のパターンが形成され光透過性を有するテンプレートの前記一方の面を前記光硬化性材料に接触する工程と、 前記テンプレートの他方の面側から前記光硬化性材料に光を照射する工程と、 前記テンプレートを前記光硬化性材料から分離する工程と、 を備えることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (1件)：
H01L21/30 502D
Fターム (2件)：
5F046AA01 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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